三星开发新材料a-BN,次世代半导体有望加速现身

高登棋牌游戏最新玩法三星先进技术研究院(Samsung Advanced Institute of Technology,简称SAIT)研发出新的半导体材料──非晶质氮化硼(amorphous boron nitride,简称a-BN),有望让次世代半导体加速现身。三星官网6日新闻稿称,SAIT、南韩蔚山国家科学技术研究院(Ulsan National Institute of Science and Technology)、英国剑桥大学,合力发现了新材料a-BN,此一结果刊载于知名科学期刊《Nature 》。
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SAIT 致力于发展2D 材料,也就是只有一层原子的晶体材料。该机构持续研究石墨烯,在石墨烯电晶体以及如何制作大型单晶的晶圆级石墨烯方面,达成了破天荒的研究成果。SAIT 石墨烯计画主管和主要研究员Hyeon-Jin Shin 说:为了加强石墨烯和以矽为基础半导体制程的相容性,要在半导体基板上生成晶圆级石墨烯,必须在摄氏400 度以下的低温进行。
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新发现的材料名为a-BN(见下图),从白色石墨烯淬链而出,内部的氮和硼原子成六角形排列,但是分子结构与白色石墨烯相当不同。a-BN 介电常数(dielectric constant)极低,只有1.78,并有强大的电子和机械特质,能做为隔绝材料,让电子干扰最小化。a-BN 可望广泛用于DRAM、NAND 记忆体,特别是大型伺服器的次世代记忆体解决方案。

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